文献

J-GLOBAL ID：201002273308170950   整理番号：10A1337039

Cu薄膜の電気的性質を改善するためのパルス電着

Pulse Electrodeposition for Improving Electrical Properties of Cu Thin Film

著者 (6件)： KIM Myung Jun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Sung Ki (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KOO Hyo-Chol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LIM Taeho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Kyung Ju (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jae Jeong (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 11  ページ： D564-D569  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス電着法を用い,厚さ250nmのCu薄膜を作製し,定電位電着の場合と比較した。とくに,パルス電着に固有のオフタイム(印加電圧ゼロの時間)でのミクロ構造変化について調べた。パルス電着は,0.25M硫酸銅及び1.0M硫酸溶液からなる電解質溶液中,オンタイム時のカソード電圧-100~-400mV,デューティサイクル25~75%,周波数1Hzで行った。パルス電着を行うことによりCu(111)ピーク強度が増加し,定電位電着の場合と比較し膜抵抗が減少した。膜特性はデューティサイクルを低くするとより改善されることが分かった。オフタイム時に電解質と接した領域で結晶粒成長が起こることを示した。この結晶粒成長は,数10時間かかる自己アニーリング過程と比較し,秒単位で完結した。また,その影響は表面から約2.0nm付近まで及ぶことが分かった。最適条件下でのパルス電着により,Cu(111)ピーク強度は50%増加し,定電位電着の場合と比較し電気抵抗は約30%減少した。

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *銅 ,  *電着 ,  *抵抗 ,  結晶成長 ,  稼働率
準シソーラス用語： デューティサイクル ,  *パルス電着 ,  結晶粒成長 ,  *膜抵抗

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  パルス電着