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J-GLOBAL ID：201002273508278658   整理番号：10A0488299

反応剤としてNiI₂で修飾したカーボンナノチューブを使用するn-タイプ窒化ガリウムナノワイヤの大規模合成

Large-scale synthesis of n-type gallium nitride nanowires using NiI₂-decorated carbon nanotubes as a reactant

著者 (6件)： LIN Tsung-wu (Inorganic Chemistry Lab., Univ. of Oxford, South Parks Road, Oxford OX1 3QR, GBR) ,  LIN Tsung-wu (Inst. of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, P.O. Box 23-166, Taipei 106, Taiwan) ,  CHOI Si-young (Dep. of Materials, Univ. of Oxford, South Parks Road, Oxford OX1 3PH, GBR) ,  CHOI Si-young (Functional Materials Div., Korea Inst. of Materials Sci., Changwon 641-831, KOR) ,  KIM Young-heon (Leading Edge Technol. Group, Korea Res. Inst. of Standard and Sci., Doryong-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-340, KOR) ,  GREEN Malcolm L.H. (Inorganic Chemistry Lab., Univ. of Oxford, South Parks Road, Oxford OX1 3QR, GBR)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 48  号： 9  ページ： 2401-2408  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,GaNナノワイヤ(NWs)の合成のためのNiI₂を充填したカーボンナノチューブ(CNTs)の利用の初めての例を実証する。NiI₂修飾CNTsをNH₃中でGa₂O₃と反応して,大量の単結晶n-タイプGaN NWsを合成した。CNTsが存在しないときは,比較的わずかな短いGaN NWs(<1μm)しか合成されなかったが,反応剤として黒鉛を使用たときは,GaN NWsは妥当な収率で合成されるのがわかった。したがって,NWの成長のテンプレートとしてCNTsは全く役割を果たさないが,この成長は気-液-固機構を通じてNiI₂ナノ結晶によって支援される。炭素材料の存在がGa₂O₃のGa₂OやGaへの還元を容易にして,NWの成長時の一定のGa源を提供する。さらに,NiI₂充填単層カーボンナノチューブの使用は,低い成長温度(600°C)でより高いNW収率をもたらして,NiI₂充填単層CNTsがGaN NWsの合成のための有効な反応剤として機能できるのを示す。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  N型半導体 ,  鉱物合成 ,  化学蒸着 ,  ヨウ化物 ,  ニッケル触媒 ,  カーボンナノチューブ ,  添加物効果 ,  反応機構 ,  グラファイト

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応剤 ,  修飾 ,  カーボンナノチューブ ,  タイプ ,  窒化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  大規模