文献

J-GLOBAL ID：201002273518688137   整理番号：10A0624735

曝露時間に関するエッチングレートの変化を用いた3D PTFE構造の作製に関する研究

Study on Fabrication of 3-D PTFE Structure Utilizing Change of Etching Rate with Respect to Exposure Time

著者 (3件)： HORADE M. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  HORADE M. (Japan Soc. Promotion of Sci.) ,  SUGIYAMA S. (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Memoirs of the SR Center, Ritsumeikan University  (Memoirs of the SR Center, Ritsumeikan University)
号： 12  ページ： 119-126  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： L4610A  ISSN： 1345-1650  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射(SR)光源を用いた直接エッチングによって3次元のポリテトラフルオロエチレン(PTFE)微細構造物の作製に関して報告した。PTFEは様々なデバイスに対する多様な応用展開が期待されている注目すべき材料である。このことを念頭において,SR光源を用いてPTFEの微細構造を高精度の3次元技術を確立することを試みた。PTFEのプロセス特性に関して,未だ解決されていない多くの要因が存在している。露光時間に対するエッチングレートについて検討し,エッチング時間が長くなるとエッチングレートが加速されることがわかった。ビーム電流とプロセス深さの関係について,様々の露光時間について調べた。露光時間によるエッチングレートが変化することを利用して,様々の形状構造が作製可能なことを明らかにした。走査スピードが速い場合には,丸みを帯びた形状が作製され,逆に走査スピードが遅い場合には,三角吸収体と同様の形状が作製される。

シソーラス用語： *ポリテトラフルオロエチレン ,  *シンクロトロン放射 ,  *エッチング ,  *微細構造 ,  時間 ,  リソグラフィー ,  時間依存性 ,  三次元
準シソーラス用語： PTFE ,  露光時間

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 曝露時間 ,  エッチングレート ,  3D ,  PTFE ,  作製 ,  研究