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J-GLOBAL ID：201002273726615771   整理番号：10A0780895

極低温におけるシングルイベント効果を特性評価するための新しいテストシステムの応用

Application of a novel test system to characterize single-event effects at cryogenic temperatures

著者 (15件)： RAMACHANDRAN Vishwanath (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  GADLAGE Matthew J. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  AHLBIN Jonathan R. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  NARASIMHAM Balaji (Broadcom Corp., Irvine, CA, USA) ,  ALLES Michael L. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  ALLES Michael L. (Inst. for Space and Defense Electronics (ISDE), Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  REED Robert A. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  REED Robert A. (Inst. for Space and Defense Electronics (ISDE), Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  BHUVA Bharat L. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  BHUVA Bharat L. (Inst. for Space and Defense Electronics (ISDE), Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  MASSENGILL Lloyd W. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  MASSENGILL Lloyd W. (Inst. for Space and Defense Electronics (ISDE), Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  BLACK Jeffrey D. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  BLACK Jeffrey D. (Inst. for Space and Defense Electronics (ISDE), Vanderbilt Univ., Nashville TN, USA) ,  FOSTER Christopher N. (IR Labs Inc. Tucson, AZ, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 10  ページ： 1052-1059  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極低温における半導体デバイスについてのシングルイベント放射テストに用いるためのカスタム化極低温テストシステムの詳細を提供した。軽量携帯システムを,種々のビーム能力における重イオン広ビームシングルイベント放射テストを実施するために設計した。極低温剤として,必要な低温限界に依存するように液体窒素あるいは液体ヘリウムを用いて設計した。内部の加熱制御システムは,温度の関数としてシングルイベント放射テストを可能にしている。シングルイベントを角度に対応させるために,テスト中のデバイスを真空解除すること無しに垂直軸のまわりを回転可能にした。テスト中のデバイスへの電気的接続は,6個の完全カストム化可能ハーメティックシール接続ポートで可能にした。システムは,IBM CMOS 130nm時術にて作成したテスト回路にて,シングルイベントテストの温度は,任意でテストを可能にした。シングルイベント過渡パルス幅は,温度の-135°Cから+0°Cの変化に対して30%まで増加が見られた。デバイスシミュレーションにより,PMOSトランジスタのnウエルにおけるシングルイベント誘起寄生バイポーラトランジスタターンオンが,考慮した温度範囲のパルス幅にて観測増加に対応することを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *極低温 ,  *キャラクタリゼーション ,  *テスト構造 ,  半導体素子 ,  重イオン ,  液体窒素 ,  液体ヘリウム ,  バイポーラトランジスタ ,  MOS構造 ,  パルス幅 ,  計算機シミュレーション ,  ターンオン
準シソーラス用語： PMOS構造 ,  *シングルイベント効果 ,  デバイスシミュレーション ,  特性評価 ,  半導体デバイス

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極低温 ,  シングルイベント効果 ,  特性評価 ,  テスト ,  応用