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J-GLOBAL ID：201002273830008224   整理番号：10A1542893

熱ナノインプリントリソグラフィーにおけるエッチング無しリフトオフによるスパッタリング

Sputtering with an etch-free lift-off in thermal nanoimprint lithography

著者 (6件)： MAYER Andre (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU) ,  BOGDANSKI Nicolas (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU) ,  MOELLENBECK Saskia (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU) ,  DHIMA Khalid (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU) ,  PAPENHEIM Marc (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU) ,  SCHEER Hella-christin (Univ. of Wuppertal, Rainer-Gruenter Str. 21, D-42119 Wuppertal, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6M136  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積工程に適する熱ナノインプリントリソグラフィー(NIL)とスパッタリングの二種類の廉価な技術を組合せて,サブミクロン金属構造を定義した。空洞の部分充填条件下で得た熱ナノインプリント後の非常に低い(very low)残留層により,スパッタリング前の残留層除去のためのエッチング段を省略できる。インプリントした構造は典型的に正の側壁角を持ち,傾斜した側壁上のスパッタ層の形態を調べた。傾斜に無関係に,スパッタ層は先が僅かに細い柱状構造を示し,層厚全体にわたり結晶は基板に垂直に広がった。接触領域内の基板への接着が十分に高い限り,この構造は溶媒の透過,高分子の膨潤,上部層の持上げを可能にし,従ってリフトオフが可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： リソグラフィー ,  *微細加工 ,  *スパッタリング ,  *押付成形 ,  パターン形成 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： ナノインプリントリソグラフィー ,  *リフトオフ ,  *熱ナノインプリント

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインプリントリソグラフィー ,  エッチング ,  リフトオフ ,  スパッタリング