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J-GLOBAL ID：201002273966711069   整理番号：10A1151615

45nm CMOSによる2.4GHz 7mW 全ディジタルでPVT変動に強いトルー乱数発生器

2.4GHz 7mW All-Digital PVT-Variation Tolerant True Random Number Generator in 45nm CMOS

著者 (9件)： SRINIVASAN Suresh (Intel Corp., OR, USA) ,  MATHEW Sanu (Intel Corp., OR, USA) ,  RAMANARAYANAN Rajaraman (Intel Corp., OR, USA) ,  SHEIKH Farhana (Intel Corp., OR, USA) ,  ANDERS Mark (Intel Corp., OR, USA) ,  KAUL Himanshu (Intel Corp., OR, USA) ,  ERRAGUNTLA Vasantha (Intel Corp., OR, USA) ,  KRISHNAMURTHY Ram (Intel Corp., OR, USA) ,  TAYLOR Greg (Intel Corp., OR, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2010  ページ： 161-162  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エントロピーの高い乱数は暗号,モンテカルロ解析などで不可欠な要素である。トルー乱数発生器(TRNG)はエントロピーを熱やフリッカノイズのような自然源から得ている。従来のTRNGは熱雑音を取得するのにアナログ回路やバイアス電圧を使っているが,これらの方法はプロセスや電圧の変動に敏感でマイクロプロセッサとの集積に不向きである。このために系統的/ランダムプロセス変動,経時および実時間電圧/温度揺らぎなどに対応する自己較正回路を備えたオンダイ全ディジタルTRNGを開発した。45nm CMOSによるTRNGは2.4Gbpsランダムビットスループットで消費電力は7mWである。20%のプロセス変動でも動作し,電圧と温度の揺らぎにも強い。エントロピーは0.999965あり,280mVまで下げてもすべてのNIST RNG試験をパスする。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *半導体集積回路 ,  *乱数発生器 ,  エントロピー ,  変動 ,  研究所
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  NIST ,  プロセス変動

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  ディジタル ,  PVT ,  乱数発生器