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J-GLOBAL ID：201002274144838934   整理番号：10A0466628

Fドープ酸化スズ上のPbZr_0.4Ti_0.6O₃膜におけるアニーリング温度に従う微構造と関連特性の進展

Evolution of microstructure and related properties of PbZr_0.4Ti_0.6O₃ films on F-doped tin oxide with annealing temperature

著者 (6件)： ZHANG T. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN) ,  HU G. J. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN) ,  BU H. J. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN) ,  WU J. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN) ,  CHU J. H. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN) ,  DAI N. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 8  ページ： 084103  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明なFドープ導電性酸化スズ層でコートしたガラス片上に化学溶液堆積によりPbZr_0.4Ti_0.6O₃膜を作製した。このPbZr_0.4Ti_0.6O₃膜のアニーリング温度に従う微構造及び関連特性の進展を調べた。この幕はペロブスカイト相でクラックが無い表面モホロジーであった。>550°Cでアニールした膜は緻密と多孔質のPbZr_0.4Ti_0.6O₃層で構成された識別可能な層状構造を示す。650°Cで処理した試料は膜中で最大の平均残留分極29.2μC/cm²及びピーク反射率95%を示す。Fドープ酸化スズ薄膜上で優れた強誘電及び光学特性を示すPbZr_0.4Ti_0.6O₃多層体を成長させる最良の処理条件は650°Cと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  置換型固溶体 ,  溶液成長 ,  積層構造 ,  *誘電体薄膜 ,  透明電極 ,  酸化スズ ,  ドーピング ,  フッ素 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  光反射 ,  結晶粒径 ,  最適条件
準シソーラス用語： 化学溶液堆積法 ,  アニール

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  酸化スズ ,  アニーリング温度 ,  進展