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J-GLOBAL ID：201002274150019414   整理番号：10A0525312

ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT

Laser-activated Top-gate μc-Si:H TFTs

著者 (4件)： 原明人 (東北学院大 工) ,  渋谷潤 (東北学院大 工) ,  佐藤旦 (東北学院大 工) ,  北原邦紀 (島根大 総合理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 15(SDM2010 1-16)  ページ： 5-8  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： トップゲート(TG)水素化微結晶シリコン(μc-si:H)薄膜トランジスタ(TFT)とTG多結晶シリコン(poly-Si)TFTのモノリシック集積化を目指している。μc-Si:H TFTを動作させるためには,水素化非晶質シリコン(a-Si:H)TFTと同様に非平衡の多量の水素をチャネル内に保持していることが重要である。そこで,非平衡水素の保持が可能なレーザ活性化TG μc-Si:H TFTのプロセスを開発し,移動度1.1cm²/Vsを実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  水素化 ,  微結晶 ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリシリコン ,  半導体集積回路 ,  アモルファスシリコン ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  μc-si:H ,  シリコン ,  モノリシック集積回路 ,  *水素化微結晶シリコン ,  多結晶シリコン ,  非晶質シリコン

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガラス基板 ,  レーザ ,  活性化 ,  トップゲート ,  水素化 ,  微結晶シリコン ,  TFT