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J-GLOBAL ID：201002274249028644   整理番号：10A0334599

HfO₂の高k誘電体上の原子層蒸着あるいは物理気相蒸着により調製したTiN金属ゲートの熱安定性

Thermal stability of TiN metal gate prepared by atomic layer deposition or physical vapor deposition on HfO₂ high-K dielectric

著者 (14件)： WU L. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  YU H. Y. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  LI X. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  PEY K. L. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  PAN J. S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  CHAI J. W. (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  CHIU Y. S. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  LIN C. T. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  XU J. H. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  WANN H. J. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  YU X. F. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  LEE D. Y. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  HSU K. Y. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan) ,  TAO H. J. (TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 11  ページ： 113510  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂の高k誘電体上種々の調製技術[(すなわち原子層蒸着(ALD)あるいは物理気相蒸着(PVD)]により調製した種々の組成のTiN金属ゲートの熱安定性を研究し,物理的解析と電気的解析により比較する。1000°Cで30秒間TiN/HfO₂積層のアニーリング後,(1)すべての試料で窒素はTiNから外に拡散する傾向がある。(2)HfO₂とSiとの界面層(1L)からの酸素はTiN側に拡散する傾向がある。PVDによるTiが多いTiNはゲート積層構造で酸素分布が広く,Nが多い試料よりも薄い1Lを持つ。Tiが多い試料でHfO₂へのTi浸透も観察され,これが誘電体破損につながる可能性がある。さらに外側への酸素拡散は,PVDによるTiN試料と比較してALDによるTiNでは著しく抑制できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  単原子層 ,  *原子層エピタクシー ,  物理蒸着 ,  *窒化物 ,  *チタン化合物 ,  *金属性 ,  *ゲート【半導体】 ,  *熱安定性 ,  熱処理 ,  熱拡散 ,  酸素 ,  *積層構造
準シソーラス用語： 酸素拡散

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： HfO2 ,  高k誘電体 ,  原子層蒸着 ,  物理気相蒸着 ,  調製 ,  TiN ,  金属ゲート ,  熱安定性