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J-GLOBAL ID：201002274339726383   整理番号：10A0362080

熱ドナー活性化により徐々に補償される単結晶シリコンにおけるHall移動度低下

Hall mobility reduction in single-crystalline silicon gradually compensated by thermal donors activation

著者 (6件)： VEIRMAN J. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  DUBOIS S. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  ENJALBERT N. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  GARANDET J.p. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  HESLINGA D.r. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  LEMITI M. (Lab. de Physique de la Matiere, UMR-CNRS 5511, INSA de Lyon, Bat. B. Pascal, 7 Avenue Jean Capelle, 69621 ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 6  ページ： 671-674  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では純粋硼素ドープCzochralsky生長シリコン単結晶におけるドーパント補償レベルによる多数キャリアHall移動度の変動に焦点をあてた。補償は酸素ベース熱ドナーの段階的活性化を介し,事例スケールで連続的に変化させた。室温ではp型とn型Siの両方で高い補償レベルに対し移動度の大きな低下が見られた。イオン化不純物とフォノンによるキャリア散乱を考慮した移動度モデルでこの大きな移動度低下は再現できない。観察されたこの挙動を説明するためには補償の特殊効果を考慮しなければならないという結論を得た。本稿では高度に補償されたSiにおける移動度低下に結びつく物理機構を定性的に検討した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Hall移動度 ,  Czochralski法 ,  ドナー ,  キャリア散乱 ,  フォノン ,  不純物補償
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  *熱活性化

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドナー ,  活性化 ,  補償 ,  単結晶シリコン ,  Hall移動度