文献

J-GLOBAL ID：201002274377779520   整理番号：10A0772317

高磁場キャリア輸送を考慮した調整CMOSFETsにおける圧力と表面歪み技術

Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport

著者 (4件)： SAITOH Masumi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKABAYASHI Yukio (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  UCHIDA Ken (Tokyo Inst. Technol.) ,  NUMATA Toshinori (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 125-129  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短チャネルで歪みのある(100)と(110)n/p MOSFETsの性能に関する系統的研究を行った。短チャネル(110)nFETsの飽和ドレイン電流(I_dsat)は,(100)nFETsでの強い速度飽和の結果として(100)nFETsに近づいている。その一方で,短チャネル(110)pFETsのI_dsatはnFETsよりも弱い速度飽和のために,まだ(100)pFETsよりも優れている。歪みによって増加するキャリア速度(ν)とI_dsatは低電界移動度(μ)の増大(Δμ/μ)によってだけでなく,飽和速度(ν_sat)の調節によっても決定される。ν_satがより小さいΔμ/μデバイスでの歪みによって,より増大することがわかった。結果として,Δμ/μの差がν_sat変化によって相殺されるので,(100)/(110)n/pFETsのΔν/νはサブ30nm波領域で一点に集まる。(110)CMOSの(100)CMOSに対する優位性は,著しくひずんだ条件で持続する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 輸送現象 ,  キャリア ,  電気伝導 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *CMOS構造 ,  MOSFET ,  歪 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： *CMOSFET ,  キャリア輸送 ,  表面歪

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高磁場 ,  キャリア輸送 ,  表面歪み