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J-GLOBAL ID:201002274788693520   整理番号:10A0850091

電子とイオンのマルチビームを用いた投射マスクレス・リソグラフィーとナノパターニング

Projection mask-less lithography and nanopatterning with electron and ion multi-beams
著者 (3件):
資料名:
巻: 7545  ページ: 75450Q.1-75450Q.6  発行年: 2010年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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IMS Nanofabrication社による投射荷電粒子マルチビーム技術について紹介した。22nmおよびそれを超える技術において,電子VSB(可変形状ビーム)ツールでは求められるマスクを作成するのが難しい。また,NIL(ナノインプリントリソグラフィー)のためのマスタースタンプの製造には,Gausssスポットビーム電子ビームツールが必要なソリューションを提供しうるが,スループットに関する要求には適合できない。さらに,ナノパターニングのニーズに対しては,FIB(集束イオンビーム)装置では対応できない。投射荷電粒子マルチビーム技術は,テレセントリック・ブロードビーム(Telecentric Broad Beam)を用いたプログラマブルAPS(開口プレートシステム)への照射に基づいており,ナノメートル寸法のビームを形成できる。本稿では,本技術の概要と応用分野について紹介した。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 

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