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J-GLOBAL ID：201002275338933470   整理番号：10A1545709

垂直方向に不均一なドープのシリコンフィルムを用いた短ゲートSOI MESFETの閾値電圧を導くための解析モデル

Analytical model for deriving the threshold voltage of a short gate SOI MESFET with vertically non-uniformly doped silicon film

著者 (1件)： SUH C. H. (Hongik Univ., Seoul, KOR)
資料名： IET Circuits, Devices & Systems  (IET Circuits, Devices & Systems)
巻： 4  号： 6  ページ： 525-530  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： A0160C  ISSN： 1751-858X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ドーピング ,  不均一性 ,  ケイ素 ,  薄膜 ,  SOI構造 ,  *MESFET ,  電圧 ,  *解析モデル ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  ゲート長

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 垂直方向 ,  ドープ ,  シリコン ,  フィルム ,  ゲート ,  SOI ,  MESFET ,  閾値電圧 ,  解析モデル