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J-GLOBAL ID：201002275404750226   整理番号：10A0359026

選択エッチングで作製された多孔質のnc-Si-SiO_xから成る構造における可視光域の光ルミネセンス

Visible Photoluminescence of Selectively Etched Porous nc-Si-SiO_x Structures

著者 (4件)： INDUTNYI I.Z. (Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR) ,  MICHAILOVSKA E.V. (Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR) ,  SHEPELIAVYI P.E. (Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR) ,  DAN’KO V.A. (Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 2  ページ： 206-210  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択エッチングで作製された多孔質のnc-Si-SiO_x構造における可視光域の光ルミネセンスについて報告する。多孔質のnc-Si-SiO_x構造におけるPLスペクトルに対する酸化物の選択エッチングの効果,とくにnc-Siが非晶質状態か結晶状態か,を解析した。選択エッチングによって,PL強度の増大とPLピークの短波長側へのシフトが観測された。nc-Siが非晶質の場合には0.57eV,そして結晶の場合には0.39eV程度高エネルギー側にシフトすることが分かった。この効果は,1%のHF溶液中でエッチングされた場合におけるnc-Siのサイズの減少に起因する。このように,Siのナノ結晶を含む多孔質の酸化シリコン層を選択エッチングすることによって,PL強度が増大し,幅広い領域に亘ってPLスペクトルを修正できることが分かった。

シソーラス用語： 多孔質体 ,  選択腐食 ,  *ナノ結晶 ,  *ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  スペクトルシフト ,  フッ化水素

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 選択エッチング ,  作製 ,  多孔質 ,  NC ,  Si ,  可視光域 ,  光ルミネセンス