文献

J-GLOBAL ID：201002275621899580   整理番号：10A1539417

GaN/AlN量子ドットにおけるバンド内遷移による負光伝導率

Negative photoconductivity due to intraband transitions in GaN/AlN quantum dots

著者 (5件)： VARDI A. (Dep. of Electrical Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  BAHIR G. (Dep. of Electrical Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  SCHACHAM S. E. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Ariel Univ. Center, Ariel 40700, ISR) ,  KANDASWAMY P. K. (Equipe Mixte CEA-CNRS, Nanophysique et Semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 ...) ,  MONROY E. (Equipe Mixte CEA-CNRS, Nanophysique et Semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 104512  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlN量子ドット(QD)における面内光伝導率(PC)測定は,0.9eVにおけるTM偏光赤外(IR)ピーク,及び2.8eVにおける可視-UV(vis-UV)ピークを示した。エネルギー及び偏光依存性に基づいて,0.9eVは,QD内での偏光S-Pzバンド内遷移に関係していた。IR PCは,温度が上昇するにつれ,正PC(PPC)から負PC(NPC)へ変わり,50から300Kまで指数関数的に増大した。vis-UV放射は,すべての温度においてPPCを示した。vis-UV放射と組み合わせて,IR PCは低温において負であった。これらの観測に基づいて,QD層におけるIR励起キャリアが,AlN障壁における深準位(DL)に結合して,固定され,すなわち,NPCが観測されるというモデルを示唆した。vis-UV放射はそれらをQDに再励起し,結果として,PPCを生じた。低温において,DLへの結合は効果が無くなり,したがって,IR励起はPPCを生じた。このモデルをレート方程式に反映した。これらのレート方程式に基づいたシミュレーションは,実験結果を良く再現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  *光伝導 ,  エネルギー移動 ,  温度依存性 ,  深い準位 ,  レート方程式
準シソーラス用語： *負光伝導 ,  赤外領域 ,  紫外領域 ,  可視領域 ,  偏光依存性 ,  *バンド内遷移

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  量子ドット ,  バンド内遷移 ,  光伝導率