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J-GLOBAL ID：201002275672119016   整理番号：10A0507748

ホール注入型InGaAs-InP近赤外線フォトFET(Hi-FET)

Hole Injection Type InGaAs-InP Near Infrared Photo-FET (HI-FET)

著者 (1件)： OGURA Mutsuo (Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 3-4  ページ： 562-569  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面電流ブロック構造を持つ,p-i-nPD(フォトダイオード)上に小さなFETが構成された,ホール注入型フォトFET(HI-FET)のシミュレーションと実際の性能を記述した。ゲインを増強したヘテロバイポーラフォトトランジスタに匹敵するすばらしい性能とHI-FETのアドレッシング機能は,高感度赤外線イメージングデバイスの実現を可能にした。製作したデバイスは,シミュレーションで得られた特性に質的に類似の特性を持もっている。光変換効率は500A/Wである。最小検出パワーは,ロックイン計測において,50fWであり,同等の計測構成における従来のPDの数10分の1である。光入力に依存する光応答は比較的線形である。このゲート機能はカラム選択用のマトリックススイッチとして使用できる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  近赤外線 ,  表面電流 ,  高感度 ,  赤外線画像 ,  効率 ,  増幅器 ,  計測
準シソーラス用語： *ホール注入型フォトFET ,  ロックイン計測 ,  ロックイン増幅器 ,  *近赤外フォトFET ,  *光変換効率 ,  *赤外線イメージ ,  測定

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： ホール ,  注入 ,  InGaAs ,  InP ,  近赤外線 ,  フォト ,  FET ,  HI