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J-GLOBAL ID：201002275933878823   整理番号：10A0154994

誘導性素子を用いないCMOS低雑音増幅回路の特性比較

A Comparison of inductor-less CMOS Low Noise Amplifiers

著者 (4件)： 大井陽一郎 (東京工大) ,  佐藤広生 (東京工大) ,  RETDIAN Nicodimus (東京工大) ,  高木茂孝 (東京工大)
資料名： 電気学会電子回路研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： ECT-10  号： 16-29  ページ： 35-40  発行年： 2010年01月21日 
JST資料番号： X0578A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ソース接地型低雑音増幅回路,ゲート接地型低雑音増幅回路および負帰還型低雑音増幅回路の三種類の回路において,電圧利得,入力インピーダンスの整合,雑音係数,消費電力および動作周波数帯域の性能指標の関係を導出した。また,各回路の雑音係数と遮断周波数を比較した。シミュレーションにより検証を行った結果,ソース接地型の雑音係数と遮断周波数は両方ともゲート接地型より劣ることが分かった。負帰還型とゲート接地型では,遮断周波数は負帰還型が大幅に劣るが,雑音係数については消費電流が大きい場合,負帰還型が優れていることが分かった。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *低雑音増幅器 ,  線形回路 ,  雑音指数 ,  遮断周波数
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  雑音係数

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (10件)：

• Behzad Razavi,「アナログCMOS集積回路の設計」
• Federico Bruccoleri, Eric A. M. Klumperink and Bram Nauta,”WIDEBAND LOW NOISE AMPLIFIERS EXPLOTING THERMAL NOISE CANCELATION”
• James Ayers, Kartikeya Mayaram and Terri S. Fiez,”Tradeoffs in the Design of CMOS Receivers for Power Wireless Sensor NetWorks”, Circuit and Systems.2007.ISCAS 2007. IEEE international Symposium on
• Cai, Li, Fu, Zhongqian; Hung, Lu, ”Design of common gate UWB LNA in CMOS”, ASIC, 2009, ASICON ’09, IEEE International Conference
• Qiang Li and Yue Ping Zhang,”A 1.5-V 2-9.6-GHz Inductorless Low-Noise Amplifier in 0.13-pmCMOS”, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND THCHIQUES, VOL 55, NO 10, OCTOBER 2007

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  低雑音 ,  増幅回路