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J-GLOBAL ID：201002276451913032   整理番号：10A0471618

部分的及び完全Ag被覆Si(111)上のGe成長

Ge Growth on Partially and Entirely Ag Covered Si(111)

著者 (6件)： SCHMIDT Th. (Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU) ,  SPECKMANN M. (Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU) ,  FALTA J. (Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU) ,  MENTES T. O. (Sincrotrone Trieste, ITA) ,  NINO M. A. (Sincrotrone Trieste, ITA) ,  LOCATELLI A. (Sincrotrone Trieste, ITA)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 8  ページ： 221-226 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag:Si(111)-√3×√3-R30°上のGeの成長を,低エネルギー電子顕微鏡(LEEM),低エネルギー電子回折(LEED)及びX線光電子放出(XPEEM)により研究した。550°CでAgのサブモノレイヤ吸着に対して,Ag末端化√3×√3-R30°ドメインが基板のステップエッジを修飾する。そのようなステップエッジ修飾表面上での濡れ層の成長及びGeアイランド核生成は,裸のSi(111)-7×7面上のGe成長とまったく類似する。Ge沈着過程で,√3×√3-R30°ドメインは溶解して,小さいAg末端化3×1ドメインが形成されて全表面に分布する。大きな3×1ドメインは,三次元(3D)Geアイランドの囲みのみで見いだされる。Ge 3Dアイランド形態,サイズ分布及び密度から,そのサブモノレイヤAg前吸着シナリオにおいて成長速度論及びアイランド構造に及ぼすAgの影響はほとんどないと結論される。そのことは完全被覆Ag:Si(111)√3×√3-R30°表面でのGe成長に対して完全に異なる。裸のSi(111)-7×7上の成長と比べて,拡散長の大きな増大認められ,アイランド密度の顕著な低下を示す。アイランドの形態もまた,その領域のAg前吸着により大きく影響される。三角形アイランドの代わりに,不連続Ge膜にむしろ似た巨大かつ不規則なアイランドが認められる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銀 ,  *被覆 ,  *ケイ素 ,  *結晶面 ,  気固界面 ,  *ゲルマニウム ,  *結晶成長 ,  低速電子回折 ,  X線光電子スペクトル ,  ナノ構造 ,  *顕微鏡観察
準シソーラス用語： ナノアイランド ,  低エネルギー電子顕微鏡

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

引用文献 (34件)：

• [1] M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
• [2] F. K. LeGoues, M. Copel, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B 42, 11690 (1990).
• [3] B. Voigtländer and A. Zinner, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1932 (1994).
• [4] Th. Schmidt, J. Falta, G. Materlik, J. Zeysing, G. Falkenberg, and R. L. Johnson, Appl. Phys. Lett. 74, 1391 (1999).
• [5] T. F. Wietler, E. Bugiel, and K. R. Hofmann, Thin Solid Films 517, 272 (2008).

タイトルに関連する用語 (4件)： Ag ,  Si ,  Ge ,  成長