NOR型フラッシュメモリデバイスのためのドーパント凝集Schottky障壁(DSSB)FinFET SONOSデバイスにたいするプログラミング特性のFin(W<sub>fin</sub>)幅依存性

CHOI Sung-Jin; HAN Jin-Woo; MOON Dong-Il; JANG Moongyu; CHOI Yang-Kyu

文献

J-GLOBAL ID：201002276550942249 整理番号：10A0134456

NOR型フラッシュメモリデバイスのためのドーパント凝集Schottky障壁(DSSB)FinFET SONOSデバイスにたいするプログラミング特性のFin(W_fin)幅依存性

Fin Width (W_fin) Dependence of Programming Characteristics on a Dopant-Segregated Schottky-Barrier (DSSB) FinFET SONOS Device for a NOR-Type Flash Memory Device

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0134456&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0134456&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 31 号： 1 ページ： 71-73 発行年： 2010年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

DSSBデバイスは短チャネル効果への耐性が高いので注目されており,NANDやNOR型のフラッシュメモリに応用するとプログラミング速度が速くなるとされている。本レターはNNOR型フラッシュメモリにたいするW_fin)の影響を,DSSB FinFETと拡散p-n接合S/Dの通常SONOSデバイスの両方で調べた。通常のFinFET SONOSではW_fin)が狭いとソース/ドレインの寄生抵抗(R_para)のためにメモリ性能が落ちる。だが,DSSB FinFET SONOSではW_fin)が狭くなるとR_paraの値が変わることなしに横方向電界が改善されてメモリ性能が大きく改善される。

, , , , , , ,
,

トランジスタ

, , , , , , ,

前のページに戻る

NOR型フラッシュメモリデバイスのためのドーパント凝集Schottky障壁(DSSB)FinFET SONOSデバイスにたいするプログラミング特性のFin(Wfin)幅依存性

NOR型フラッシュメモリデバイスのためのドーパント凝集Schottky障壁(DSSB)FinFET SONOSデバイスにたいするプログラミング特性のFin(W_fin)幅依存性