文献
J-GLOBAL ID:201002276831543254   整理番号:10A0851267

アルゴンイオン照射のもとでのシリコン・ピッチグレーティングの二次元表面構造の発展: 実験とモデリング

Evolution of the 2D surface structure of a silicon pitch grating under argon ion bombardment: Experiment and modeling
著者 (5件):
資料名:
巻: 268  号: 17-18  ページ: 2631-2638  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
スパッタリング 

前のページに戻る