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J-GLOBAL ID：201002277287872881   整理番号：10A1152270

電界放出誘起エレクトロマイグレーションを利用した単電子トランジスタの作成

Fabriction of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration

著者 (4件)： KUME Watari (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TOMODA Yusuke (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HANADA Michinobu (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAKASHI Jun-ichi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 11  ページ： 7239-7243  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性化法を用いた多重トンネル接合をもつプレーナ型Ni/真空/Niベース単電子トランジスタの製作法を提案した。活性化法で形成した素子の電流-電圧特性は,明らかにCoulombブロッケードに特有な低バイアス域での電流の抑制を示し,室温Coulombブロッケード電圧もゲート電圧により準周期的に変調されることが分かった。さらに,16KでCoulomb階段が観測された。活性化のプリセット電流を利用して,単電子充電エネルギーと素子内の島の数を制御する方法を詳しく調べた。用いた活性化法は簡単であり,またプレーナ型単電子トランジスタの作成を行う容易な方法である。

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  *トンネル接合 ,  *ニッケル ,  *プレーナ構造 ,  電流電圧特性 ,  Coulombブロッケード ,  *エレクトロマイグレーション ,  *電界放出 ,  活性化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界放出 ,  誘起 ,  エレクトロマイグレーション ,  単電子トランジスタ