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J-GLOBAL ID：201002277767433977   整理番号：10A1754817

三次元高次構造を有する新規SiC/CBC (Ceramic Bonded Carbon)の開発

Development of Novel SiC/CBC (Ceramic Bonded Carbon) with 3D Micro-network Structure

著者 (6件)： 中村正治 (東洋炭素(株)) ,  中村正治 (大阪大学接合科学研究所東洋炭素「先進カーボンデザイン」共同研究部門) ,  宮本欽生 (東洋炭素(株)) ,  宮本欽生 (大阪大学接合科学研究所東洋炭素「先進カーボンデザイン」共同研究部門) ,  東城哲朗 (東洋炭素(株)) ,  東城哲朗 (大阪大学接合科学研究所東洋炭素「先進カーボンデザイン」共同研究部門)
資料名： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
巻： 57  号： 11  ページ： 711-715 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラファイト粒子上に炭化けい素(SiC)を任意の厚さで被覆する技術CVR(Chemical Vapor Reaction)法を開発し,これを応用したSiC/CBC(Ceramic Bonded Carbon)複合材料の製造を行なった。CVRは従来の被覆法であるCVDあるいはPVDとは異なり,黒鉛とガス状SiOとの反応を利用するものである。CVR法で得たSiC被覆グラファイト粒子を原料としてパルス通電焼結により圧密することでSiC/CBCを得た。このサンプルについて,X線回折による結晶構造解析,走査型電子顕微鏡によるミクロ組織観察,曲げ強さ測定,熱伝導率測定,電気抵抗率測定および嵩密度測定を実施した。この結果,得たSiC/CBCは三次元的に結合した特異な高次構造を示し,焼結温度の上昇と共に曲げ強さが増加することを明らかにした。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *グラファイト ,  粒子 ,  *加圧焼結 ,  *放電焼結 ,  微細構造 ,  曲げ強さ ,  複合材料 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： *パルス通電焼結

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

引用文献 (9件)：

• 1) NIPPON CARBON CO LTD, Method for manufacturing SiC coated graphite member with reduce pinholes JP. Patent 2001-262346A 2000-03-15
• 2) MITSUI ENG & SHIPBUILD CO LTD ADO MAP: KK, Manufacture of silicon carbide wafer and silicon carbide wafer JP. Patent 11-121313A 1997-10-13
• 3) OSAKA GAS CO LTD, Polymeric material composition JP. Patent 2000-239534A 1999-02-22
• 4) T. Kameda, et al.: "Development of Continuous SiC Fiber Reinforced Reaction Sintered SiC Matrix Composite", J. Ceram. Soc. Japan, 107 (1999) 327- 334.
• 5) R. Moene, H. T. Boon, J. Schoonman, M. Makkee, and J. A. Moulijn: "Coating of activated carbon with silicon carbide by chemical vapour deposition", Carbon, 34 (1996) 567-579.

タイトルに関連する用語 (3件)： 高次構造 ,  SiC ,  開発