文献

J-GLOBAL ID：201002278141196449   整理番号：10A0387914

P型ポリSi TFTに及ぼすチャネル短縮化効果のキャラクタリゼーション

Characterization of the Channel-Shortening Effect on P-Type Poly-Si TFTs

著者 (3件)： TAI Ya-Hsiang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Shih-Che (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Po-Ting (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10  号： 1  ページ： 62-70  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ポリSi薄膜トランジスタ(TFT)の劣化挙動を,オフ領域におけるdcホットキャリア及びゲートacストレス下において詳しく研究した。dcホットキャリアストレス下での信頼性に関して,移動度及びシフト閾値電圧の増倍が,p型MOSFETにおける場合,すなわち,チャネル短縮化効果,と同じであることを見出した。しかし,オフ領域における漏れ電流の低減及び容量の増大も,トラップ電子により引き起こされた。このような挙動は,TFTにのみ見られるものであった。オフ領域のゲートacストレスの信頼性に関しても,同様の素子パラメータ改善が見られた。

シソーラス用語： *P型半導体 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  ホットキャリア ,  長さ ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  MOSFET ,  *短チャネル効果 ,  漏れ電流 ,  捕捉電子 ,  *チャネル ,  容量電圧特性 ,  *信頼性
準シソーラス用語： キャラクタリ ,  チャネル長 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリSi ,  TFT ,  チャネル ,  キャラクタリゼーション