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J-GLOBAL ID：201002278973298284   整理番号：10A0322245

高い移動度のコバルトフタロシアニン薄膜におけるバイアスと温度依存性の電荷輸送

Bias and temperature dependent charge transport in high mobility cobalt-phthalocyanine thin films

著者 (8件)： SAMANTA S. (Technical Physics and Prototype Engineering Div., Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai 400 085, IND) ,  ASWAL D. K. (Res. Inst. of Electronics, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu 432 8011, JPN) ,  SINGH A. (Technical Physics and Prototype Engineering Div., Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai 400 085, IND) ,  DEBNATH A. K. (Technical Physics and Prototype Engineering Div., Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai 400 085, IND) ,  KUMAR M. Senthil (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol., Mumbai 400 076, IND) ,  HAYAKAWA Y. (Res. Inst. of Electronics, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu 432 8011, JPN) ,  GUPTA S. K. (Technical Physics and Prototype Engineering Div., Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai 400 085, IND) ,  YAKHMI J. V. (Technical Physics and Prototype Engineering Div., Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai 400 085, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 1  ページ： 013305  発行年： 2010年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)LaAlO₃基板上に蒸着させた高配向のコバルトフタロシアニン膜(ロッキング曲線幅=0.11°)の温度依存性の電流電圧(J-V)特性を調べる。温度範囲300-100Kで,電荷輸送バイアス依存性の,オーム性(J~V)から捕獲がない空間電荷制限伝導(J~V²)へのクロスオーバが起こるバルク律速プロセスにより支配される。300Kの移動度(μ)は7cm²V^-1s^-1の値を持ち,Arrhenius型(lnμ~1/T)挙動に従う。しかしながら,<100Kの温度で電荷輸送は電極律速であり,この場合Schottky(lnJ~V^1/2)から多ステップのトンネリング(電場の平方根の逆数に指数関数的に変化する電気伝導率)へのバイアス依存性転移をする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フタロシアニン錯体 ,  *コバルト錯体 ,  *バイアス ,  温度依存性 ,  基板 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  *電流電圧特性 ,  空間電荷制限電流 ,  Ohm接触 ,  有機半導体 ,  *半導体薄膜 ,  キャリア移動度 ,  相転移 ,  輸送現象 ,  電荷
準シソーラス用語： バイアス依存性転移 ,  電荷輸送

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 移動度 ,  コバルトフタロシアニン ,  薄膜 ,  バイアス ,  温度依存性 ,  電荷輸送