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J-GLOBAL ID：201002279056083690   整理番号：10A1031277

全オキソ置換テルチオフェンを有する電気陰性オリゴチオフェンに基づいた溶液処理されたn-型有機電界効果トランジスタ

Solution-processed n-type organic field-effect transistors based on electronegative oligothiophenes having fully oxo-substituted terthiophenes

著者 (4件)： IE Yutaka (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  NITANI Masashi (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  TADA Hirokazu (The Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3, Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  ASO Yoshio (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 11  ページ： 1740-1745  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジフルオロジオキソシクロペンテン-アニールしたチオフェン及びジアルキル置換ナフト[2,3-c]チオフェン-4,9-ジオンを含む電気陰性π共役システムを溶液処理可能なn-型有機電界効果トランジスタ(OFETs)を組み立てるための候補物質として合成した。上述の化合物の光物理的,電気化学的特性を調べ,それらのフロンティア軌道エネルギーレベルを実験及び計算データから見積もった。スピンコーティングにより作られたOFETsは電子移動度0.016cm²V^-1s^-1まで良好なn-型特性を示した。さらに作製されたOFETsの性能をバイアス条件下及び空気暴露条件下で調べた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *オリゴマ ,  *ポリチオフェン ,  FET【トランジスタ】 ,  フロンティア軌道 ,  キャリア移動度 ,  スピンコーティング ,  相関 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  溶液成長
準シソーラス用語： *オリゴチオフェン ,  構造特性相関 ,  電子移動度 ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 1,3-ビス[5,6-ジヒドロ-4,6-ジオキソ-5,5-ジフルオロ-4H-シクロペンタ[b]チオフェン-2-イル]-6,7-ジブチルナフト[2,3-c]チオフェン-4,9-ジオン ,  1,3-ビス[5,6-ジヒドロ-4,6-ジオキソ-5,5-ジフルオロ-4H-シクロペンタ[b]チオフェン-2-イル]-6,7-ジヘキシルナフト[2,3-c]チオフェン-4,9-ジオン

タイトルに関連する用語 (6件)： 置換 ,  電気陰性 ,  オリゴチオフェン ,  溶液処理 ,  型 ,  有機電界効果トランジスタ