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J-GLOBAL ID：201002279072136150   整理番号：10A0093890

SrTiO₃またはDyScO₃単結晶基板上にエピタキシャル成長させたδ-Bi₂O₃ナノ構造の相安定性

Phase stabilization of δ-Bi₂O₃ nanostructures by epitaxial growth onto single crystal SrTiO₃ or DyScO₃ substrates

著者 (10件)： PROFFIT D. L. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  BAI G.-r. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  FONG D. D. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  FISTER T. T. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  HRUSZKEWYCZ S. O. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  HIGHLAND M. J. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  BALDO P. M. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  FUOSS P. H. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  MASON T. O. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208, USA) ,  EASTMAN J. A. (Materials Sci. Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 2  ページ： 021905  発行年： 2010年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₂O₃について,(001)配向SrTiO₃または(001)_p配向DyScO₃単結晶基板上でのナノ構造エピタキシャル成長によって,高温δ相を室温まで安定化できることを観測した。さらに,その形態は,基板のミスカットで制御できた。制御された温度および酸素分圧におけるシンクロトロンX線散乱観測は,δ-Bi₂O₃ナノ構造が,室温で,基板に対してコヒーレントに歪んでいることを明らかにした。このナノ構造の600°Cでのアニーリングは,(001)配向δ相を,未同定の歪緩和相に徐々に変換することを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ビスマス ,  *ナノ構造 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  基板 ,  単結晶 ,  チタン酸ストロンチウム ,  ジスプロシウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  酸化物 ,  結晶方位 ,  δ相 ,  安定化 ,  分圧 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  シンクロトロン放射 ,  顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  空間 ,  相安定性 ,  結晶形態 ,  焼なまし ,  室温 ,  格子歪
準シソーラス用語： 逆格子空間 ,  酸素分圧

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶基板 ,  エピタキシャル成長 ,  ナノ構造 ,  相安定性