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J-GLOBAL ID:201002279275596849   整理番号:10A0995463

原子状水素曝露によるダイヤモンド状炭素膜の化学結合の変化

Changes in chemical bonding of diamond-like carbon films by atomic-hydrogen exposure
著者 (4件):
資料名:
巻: 19  号: 11  ページ: 1387-1392  発行年: 2010年11月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,KrFエキシマレーザを使用するパルスレーザ蒸着法によってSi基板に非水素化ダイヤモンド状炭素(DLC)膜を蒸着して,放射光を用いる光電子分光法(PES)とRaman分光法によって,DLC膜の構造や化学結合に対する原子状水素曝露の影響を調べた。C1sスペクトルから評価される膜表面のsp3結合の分率は,400°Cの基板温度で原子状水素曝露で増加したが,一方,sp3分率は700°Cで曝露時間の増加と共に減少した。sp3分率は,両方の温度で原子状水素に露出された膜の表層より,表面で高いのがわかった。400°Cで原子状水素に露出された膜のRamanスペクトルは,sp2炭素原子のクラスタ化が400°Cのような低温でさえ表面の近くの膜内で進展するのを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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