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J-GLOBAL ID：201002279702296940   整理番号：10A0823382

有機-無機半導体界面で進展する形態と分子構造の実時間監視

Real-time monitoring of the evolving morphology and molecular structure at an organic-inorganic semiconductor interface: SnPc on GaAs(001)

著者 (9件)： EVANS D. A. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  VEAREY-ROBERTS A. R. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  ROBERTS O. R. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  BRIEVA A. C. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  BUSHELL A. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  WILLIAMS G. T. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  LANGSTAFF D. P. (Inst. of Mathematics and Physics, Aberystwyth Univ., Aberystwyth SY23 3BZ, GBR) ,  CABAILH G. (School of Physics, Trinity Coll., Dublin 2, Ireland) ,  MCGOVERN I. T. (School of Physics, Trinity Coll., Dublin 2, Ireland)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 4  ページ： C5F5  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実時間光電子分光法とX線吸収分光法を用いて有機-III-V混成半導体界面を調べ,薄膜成長時の有機層内で進展する形態と分子構造を明らかにした。半球電子分析器に結合した直接電子計数アレイ検出器を用いてこの新しいその場特性化手法を実現した。非極性錫フタロシアニン(SnPc)分子は初期段階で均一層を形成し,その中でS不動態化したヒ化ガリウム基板表面[GaAs:S(001)]に対して明白な分子配向を有する。層状成長とクラスタ成長の間の遷移を特徴付ける0.9nmの臨界厚(光電子測定から決定した)は(39±2)°の角度で配向した分子を有する単分子層に対応した。同じ実験環境における角度分解X線吸収端微細構造(NEXAFS)測定によりこの値を確認した。しかし,厚い膜では分子-分子相互作用が分子-基板相互作用を上回り,構造は塊状の三斜晶系SnPc結晶の構造に近くなるので,この角度は小さい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *分子構造 ,  有機半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  光電子分光法 ,  X線吸収分光法 ,  金属フタロシアニン ,  ヒ化ガリウム ,  分子配向 ,  XANES ,  監視
準シソーラス用語： 錫フタロシアニン ,  NEXAFS ,  実時間監視

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  進展 ,  形態 ,  分子構造 ,  実時間