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J-GLOBAL ID：201002279789483172   整理番号：10A1048767

Si基板材料の単一モード空洞におけるマイクロ波加熱挙動

Microwave heating behaviors of Si substrate materials in a single-mode cavity

著者 (3件)： CAO Ziping (Dep. of Nanomechanics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  YOSHIKAWA Noboru (Graduate School of Environment, Tohoku Univ., Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  TANIGUCHI Shoji (Graduate School of Environment, Tohoku Univ., Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 124  号： 2-3  ページ： 900-903  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H(振動振幅電磁)場とE場の両方で,Si基板材料のマイクロ波加熱挙動を研究した。加熱速度変化に従い,温度曲線はH場では3段階に分れるが,E場では2段階に分れた。Si板厚増加と共に,HとE両場において加熱効率は徐々に減った。また,Siへのホウ素添加は加熱挙動に対し明らかに影響を持ち,加熱曲線において最大温度の低下を導いた。対照的に,Si板上の薄いAu層は,H場で,著しく加熱効率を促進した。全サンプルで,より高いマイクロ波出力が,E場加熱で用いられるが,E最大値で加熱した同じサンプルの最大温度は,H最大値でのものより低く,高電気伝導性サンプルではH場加熱がE場より効率的で,逆に,低伝導性サンプルではE場加熱がより優れることを確かめた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *マイクロ波加熱 ,  空洞 ,  振動振幅 ,  電磁場 ,  加熱速度 ,  板厚 ,  熱効率 ,  ドーパント ,  ホウ素 ,  金属薄膜 ,  導電性
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  金膜

分類 (2件)： 加熱  (PA03040C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  単一モード ,  空洞 ,  マイクロ波加熱 ,  挙動