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J-GLOBAL ID:201002279859656797   整理番号:10A0122344

次世代シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術 7.プラズマCVDによる高速製膜技術を用いた微結晶Si太陽電池の高効率化

著者 (1件):
資料名:
巻: 86  号:ページ: 21-27  発行年: 2010年01月25日 
JST資料番号: G0114A  ISSN: 0918-7928  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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現在,急増している太陽電池需要に対応すべく,薄膜Si太陽電池の生産性改善が急務である。高生産性を得るための製膜に関する技術的手法としては,1)製膜速度の高速化,2)製膜面積の大面積化,および3)同時製膜基板の複数枚化がある。本章では,生産性の改善を特に必要とする微結晶Si太陽電池に関して,高速製膜技術の開発と高速製膜微結晶Si太陽電池の高効率化に関して概説する。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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