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J-GLOBAL ID：201002280464684218   整理番号：10A0048909

共鳴トンネルダイオード対を装荷した能動伝送線路によるテラヘルツ増幅の可能性

Possibility of Terahertz Amplification by Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs

著者 (4件)： MAEZAWA Koichi (Univ. Toyama, Toyama, JPN) ,  SAKAMOTO Tomoya (Univ. Toyama, Toyama, JPN) ,  KASAHARA Koji (Univ. Toyama, Toyama, JPN) ,  MORI Masayuki (Univ. Toyama, Toyama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 12  ページ： 124503.1-124503.5  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴トンネルダイオード(RTD)対を装荷した能動伝送線路によるTHz増幅の可能性を調べた。RTD対は直列接続し極性が反対で絶対値が同じ電圧によりバイアスした二個のRTDからなる。RTD対は中間ノードで独特の電流電圧特性を有し,真の負性抵抗が低電圧領域で現れる。回路の対称性によりこの領域の線形性は良好である。さらに,RTD対回路は単一RTDのそれよりも容易に安定化させ得る。これらの長所故に,RTD対伝送線路はTHz増幅の有望な候補である。単位セルが小さくなると遮断周波数が増加し,エミッタ面積1μm²のRTDでは1THzを超えることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *伝送線路 ,  *電磁波 ,  光増幅 ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  線形性 ,  安定化 ,  遮断周波数 ,  等価回路 ,  S行列 ,  *テラヘルツ波

分類 (1件)： 伝送回路理論  (NA02020X)

引用文献 (14件)：

• T. C. L. G. Sollner, E. R. Brown, W. D. Goodhue. and H. Q. Le: in Physics of Quantum Electron Devices, ed. F. Capasso (Springer, Berlin, 1990) p. 147.
• E. R. Brown, J. R. Söderström, C. D. Parker, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, and T. C. McGill: Appl. Phys. Lett.58(1991)2291.
• S. Suzuki, A. Teranishi, K. Hinata, M. Asada, H. Sugiyama, and H. Yokoyama: Appl. Phys. Express 2(2009)054501.
• M. Asada, S. Suzuki, and N. Kishimoto: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)4375.
• C. Kidner, I. Mehdi, J. R. East, and G. I. Haddad: IEEE Trans. Microwave Theory Tech.38(1990)864.

タイトルに関連する用語 (5件)： 共鳴トンネルダイオード ,  伝送線路 ,  テラヘルツ ,  増幅 ,  可能性