文献

J-GLOBAL ID：200902206695115104   整理番号：09A0590897

GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードにおける831GHzまでの基本振動

Fundamental Oscillation of up to 831GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode

著者 (6件)： SUZUKI Safumi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TERANISHI Atsushi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HINATA Kensuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Hiroki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 5  ページ： 054501.1-054501.3  発行年： 2009年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面スロットアンテナを組み込んだGaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードにおいて室温で831GHzまでの基本振動を観測した。共鳴トンネルダイオードの容量を低減させるためにコレクタースペーサー層の厚さを増大し(20nm),メサ面積(<1μm²)を減少させた。エミッタードーピング濃度を増大させる(3×10¹⁸)ことにより小さなメサ面積における負の微分コンダクタンスの減少を妨げた。エミッタードーピング濃度の増大はピーク対谷間電流比が2の超高ピーク電流密度(18mA/μm²)を生じさせた。振動周波数のメサ面積への依存性も研究した。出力電力は少なくとも1μWだった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *ヒ化アルミニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *スロットアンテナ ,  メサ構造 ,  *ドーピング ,  出力 ,  濃度依存性

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (15件)：

• TONOUCHI, M. Nat. Photonics. 2007, 1, 97
• KOHLER, R. Nature. 2002, 417, 156
• WILLIAMS, B. S. Nat. Photonics. 2007, 1, 517
• WALTHER, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 131122
• BROWN, E. R. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2291

タイトルに関連する用語 (3件)： GaInAs ,  AlAs ,  共鳴トンネルダイオード