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J-GLOBAL ID:201002280691541547   整理番号:10A1140150

三点支持裏返し法によるシリコンウェーハの反りと板厚の同時測定

Simultaneous Measurement of Warp and Thickness of Silicon Wafer Using Three-Point-Support Inverting Method
著者 (3件):
資料名:
巻: 76  号: 11  ページ: 1305-1309  発行年: 2010年11月05日 
JST資料番号: F0268B  ISSN: 1348-8716  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究で検討している三点支持裏返し法では,シリコンウェーハの下面を三点で支持するが,測定センサはシリコンウェーハの上面に1つだけ設置されている。シリコンウェーハを裏返すことにより両面の自重によるたわみを含んだ表面形状測定を別々に行い,両面の表面形状測定の差をとることにより自重によるたわみの影響を相殺して反りを得る。本研究では,反り測定を目的として開発された三点支持裏返し法と,シリコンウェーハの自重によるたわみの数値解析を組み合わせて,反りと板厚を同時に測定する方法を開発した。これにより得た主な知見を次に示した。1)三点支持裏返し法と自重によるたわみの解析を組合せることによるシリコンウェーハの反りと板厚の同時測定方法を開発したこと,2)本研究で用いたシリコンウェーハでは,三点支持裏返し法による板厚算出結果は,縦型測定法で測定した結果と比較して±0.72μmの違いであること,3)三点支持裏返し法により算出した板厚に含まれる誤差の主な原因は,シリコンウェーハと単結晶シリコンの物性値の違いによる自重によるたわみの数値解析誤差ではなく,表面形状測定での偶然誤差であること。
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器 
引用文献 (6件):
  • 1) Effects of Support Method and Mechanical Property of 300mm Silicon Wafer on Sori Measurement, Wataru NATSU, Yukihiro ITO, Masanori KUNIEDA, Kaoru NAOI, and Nobuaki IGUCHI, Journal of the International Societies for Precision Engineering and Technology, 29, (2005) 19.
  • 2) Accuracy Estimation of Shape Measurement of Thin-Large Panel with Three-Point-Support Inverting Method, Yukihiro ITO, Wataru NATSU, Masanori KUNIEDA, Noriyuki MARUYA, and Nobuaki IGUCHI, JSME International Journal, SERIES C, 49, 3, (September 2006) 930.
  • 3) 縦型測定法を用いたシリコンウェーハの形状測定におけるクランプ力の影響, 川又 基, 伊藤幸弘, 夏 恒, 国枝正典, 直居 薫, 2005年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集, (2005) 1027.
  • 4) ウェーハの形状,平坦度測定装置,松岡英毅,山本雄治,綱木英俊,森岡哲隆,甘中将人,神戸製鋼技法,59,2,(Aug.2009) 7.
  • 5) Self-Calibration : Reversal, Redundancy, Error Separation, and ‘Absolute Testing’, Chris J. Evans, et al, Annals of the CIRP, 45, (1996) 617.
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