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J-GLOBAL ID：201002280929140708   整理番号：10A0389052

グラフェン酸化物電荷蓄積ノードでの広い記憶窓

Wide memory window in graphene oxide charge storage nodes

著者 (5件)： WANG Shuai (Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543) ,  PU Jing (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576) ,  CHAN Daniel S. H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576) ,  CHO Byung Jin (Dep. of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, KOR) ,  LOH Kian Ping (Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 14  ページ： 143109  発行年： 2010年04月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理可能な,絶縁したグラフェン酸化物(GO)単分子層を,TaNゲート/Al₂O₃/絶縁したGOシート/SiO₂/p-Si記憶素子(TANOS)での電荷捕獲誘電体として用いた。TANOS型構造は,GOシートに捕獲された電荷の量によって制御されるしきい値電圧を持つ記憶素子として役立つ。容量-電圧ヒステリシス曲線は,-5~14Vの掃引電圧を用いた7.5V記憶窓を示した。GOでのグラフェンへの熱還元は,記憶窓を1.4Vに減少した。GOのユニークな電荷捕獲特性は,柔軟な有機記憶素子での応用の可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *酸化物 ,  *単分子層 ,  誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  ポリシリコン ,  酸化アルミニウム ,  *帯電 ,  閾値 ,  *記憶素子 ,  容量電圧特性 ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン酸化物 ,  電荷蓄積 ,  ノード ,  窓