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J-GLOBAL ID：201002281339354024   整理番号：10A0195408

チャネル電子のエネルギー分布およびグラフェン電界効果トランジスタのゲート漏れ電流に対するその影響

Energy distribution of channel electrons and its impacts on the gate leakage current in graphene field-effect transistors

著者 (1件)： MAO Ling-Feng (Soochow Univ., Suzhou, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 98  号： 3  ページ： 565-569  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電界効果トランジスタでゲート漏れ電流が劇的に増加する理由について考察した。二次元グラフェン電界効果トランジスタ(FET)では線形のエネルギー-運動量関係によりシリコンFETに比較して多くの高エネルギー電子を生じる。すべてのFETで同じ表面電子密度を仮定すると,シリコンFETでは放物線のエネルギー-運動量関係にある。この仮定のもとでの数値計算によれば,グラフェンFETの漏れ電流はシリコンFETよりもはるかに大きい。結果によれば,グラフェンとゲート酸化物との間の伝導バンドオフセットが3.55eVより低ければ,ゲート漏れ電流はシリコンFETよりグラフェンFETにおいてより顕著となった。したがって,グラフェンでは,究極のデバイスサイズに限界が課せられることになる。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  *漏れ電流 ,  ケイ素 ,  電流 ,  酸化物 ,  電気伝導率 ,  数値計算 ,  *バンド構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ゲート漏れ電流 ,  トンネル電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル ,  電子 ,  エネルギー分布 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート漏れ電流