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J-GLOBAL ID：201002281407111690   整理番号：10A0492375

InAs/InGaAsP/InPの積層量子ドットにおける偏光特性

Polarization properties of InAs/InGaAsP/InP quantum dot stacks

著者 (3件)： ROY-GUAY D (National Res. Council of Canada, ON, USA) ,  POOLE P J (National Res. Council of Canada, ON, USA) ,  RAYMOND S (National Res. Council of Canada, ON, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045001,1-4  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/InGaAsP/InPの積層量子ドットにおける偏光特性を研究した結果を報告する。InGaAsP内における積層したInAs量子ドット(QD)の周期を減少すると,波動関数が細長く延び,層間の結合が誘起されることが分かった。短軸配置(SA)におけるエッジ発光の偏光度(DOP)は,結合の無いQDの場合には80%であるが,結合の強いQDの場合には40%に低減することが分かった。しかし,長軸配置(LA)の場合におけるDOPは変化しないことが分かった。平面伝播素子においては完全に等方的な偏光は得られなかったけれども,周期を短縮するか,積層数を増してQD間の結合を強化すると,更なる改善が期待できる。このように,個々のQDの配置を注意深く制御することによって,遠隔通信において重要な波長域における平面伝播および表面伝播の偏光に鈍感な素子を作製することができる。

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  積層構造 ,  *量子ドット ,  *偏光 ,  周期構造 ,  周期 ,  結合 ,  基板 ,  微斜面 ,  波動関数 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  度
準シソーラス用語： 偏光度

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  InGaAsP ,  InP ,  量子ドット ,  偏光特性