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J-GLOBAL ID:201002281913085185   整理番号:10A0916936

合成条件と使用基板がホモエピタキシャルCVD単結晶ダイヤモンドの電荷キャリア輸送特性に与える影響

著者 (11件):
資料名:
巻: 2010  ページ: ROMBUNNO.H05  発行年: 2010年08月27日 
JST資料番号: S0818B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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産業技術総合研究所において半導体デバイス用高品質大型基板用に合成された単結晶ダイヤモンドの合成条件と合成基板が電荷キャリア輸送特性に対して与える影響について調べた。今回合成した結晶では900度,160Torrの条件で特定の基板を使った場合によい結果が出ることを確認した。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  半導体結晶の電気伝導 

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