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J-GLOBAL ID：201002281913085185   整理番号：10A0916936

合成条件と使用基板がホモエピタキシャルCVD単結晶ダイヤモンドの電荷キャリア輸送特性に与える影響

著者 (11件)： 垣本明徳 (北大 大学院) ,  今野雄太 (北大 大学院) ,  金子純一 (北大 大学院) ,  藤田文行 (北大 大学院) ,  後藤拓人 (北大 大学院) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  梅澤仁 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)  (日本原子力学会秋の大会(CD-ROM))
巻： 2010  ページ： ROMBUNNO.H05  発行年： 2010年08月27日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 産業技術総合研究所において半導体デバイス用高品質大型基板用に合成された単結晶ダイヤモンドの合成条件と合成基板が電荷キャリア輸送特性に対して与える影響について調べた。今回合成した結晶では900度,160Torrの条件で特定の基板を使った場合によい結果が出ることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  基板 ,  基板温度 ,  ホモエピタクシー ,  *プラズマCVD ,  微細加工 ,  *輸送現象 ,  キャリア ,  収集 ,  ドリフト速度 ,  飛行時間法 ,  *キャリア輸送 ,  電荷キャリア ,  電荷収集 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  速度
準シソーラス用語： リフトオフ法 ,  *人工ダイヤモンド

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  電荷キャリア ,  輸送特性