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J-GLOBAL ID：201002282035712389   整理番号：10A0898663

n-Si(100)上に電着したコバルト薄膜の成長速度論と特性

Growth Kinetics and Properties of Thin Cobalt Films Electrodeposited on n-Si(100)

著者 (5件)： LEE Jong Duk (Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR) ,  AN Tae Hwan (Gyeongsangnamdo Inst. of Sci. Education, Jinju, KOR) ,  NOH Hak Gi (Gyeongnam Sci. High School, Jinju, KOR) ,  KIM Sung Gon (Kwandong Middle School, Kimhae, KOR) ,  CHOI Young R. (Samhyun Girs’ High School, Jinju, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 1  ページ： 085802.1-085802.6  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス電着法を用いて,0.1MのCoCl₂が入った非水性電解質の中で,コバルト薄膜をn-Si(100)基板上に直接育成した。本論文は,Co薄膜の構造と磁気特性を調査したものである。電流過渡実験により,堆積の初期段階でのCo核は,拡散律速成長によって起きる三次元(3D)的な瞬間核生成を経て生成することを明らかにした。原子間力顕微鏡法(AFM)解析から,膜表面は,電着電圧に関係なく,立方体および,ゆがんだ長方形形状の結晶子で構成され,平均径は約140nmであることが分かった。X線回折(XRD)測定により,膜には,六方最密(hcp)構造のCoが配列しているだけで,面心立方体(fcc)のCoあるいは,シリサイド相がないことを示した。振動試料型磁力計(VSM)測定により,Co薄膜の磁化容易軸は,膜の相と平行であることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電着 ,  *コバルト ,  *金属薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *核形成 ,  拡散律速 ,  原子間力顕微鏡 ,  *形態 ,  X線回折 ,  磁力計 ,  *軸方向
準シソーラス用語： *パルス電着 ,  振動試料型磁力計 ,  *磁化容易軸

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の表面構造  (BK15020P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

引用文献 (23件)：

• S. P. Murarka: Silicides for VLSI Applications (Academic Press, New York, 1983).
• J. M. Poate, K. N. Tu, and J. W. Mayer: Thin Films-Interdiffusion and Reaction (Wiley, New York, 1978).
• Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications, ed. A. S. Edelstein and R. C. Commarata (IOP Publishing, Bristol, U. K., 1996).
• S. Landis, B. Rodmacq, B. Dieny, B. Dal’Zotto, S. Tedesco, and M. Heitzmann: J. Magn. Magn. Mater.226(2001)1708.
• D. M. Donnet, V. G. Lewis, J. N. Chapman, K. O’Grady, and H. W. van Kesteren: J. Phys. D 26(1993)1741.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電着 ,  コバルト ,  薄膜 ,  成長速度論