GaNの結晶化のフラックスとしてのCa<sub>3</sub>N<sub>2</sub>

BOCKOWSKI M.; GRZEGORY I.; KCHAHAPURIDZE A.; GIERLOTKA S.; POROWSKI S.

文献

J-GLOBAL ID：201002282111000121 整理番号：10A0831240

GaNの結晶化のフラックスとしてのCa₃N₂

Ca₃N₂ as a flux for crystallization of GaN

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資料名：
巻： 312 号： 18 ページ： 2574-2578 発行年： 2010年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

この研究ではGaNの結晶化のフラックスとしてのCa₃N₂を検討した。熱分析により求めた,高圧N₂(0.9GPa)下でのCa₃N₂の融点は1380°Cであり,理論値(1354°C)にほぼ一致した。液体Ga中に少量(1at%)のCa₃N₂が存在すると,その構成成分からのGaN合成が劇的に加速された。一方,種結晶の有無によらず,Ca₃N₂は温度勾配のあるGa溶液からのGaNの結晶化速度に顕著な影響を及ぼさなかった。しかし,自発成長GaN結晶では晶癖と色が著しく変化した。液体Ga中のCa₃N₂含有量が10mol%の場合,基板上にGaNの厚い層とGaN結晶(顕微Raman測定で確認された)が成長した。溶融Ca₃N₂(100%)とGaN源からの成長で観測された主な結果は,(i)GaN源は溶融Ca₃N₂フラックス中に完全に溶解し,(ii)実験後,サファイア基板上にGaN結晶が見い出される,ことである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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半導体の結晶成長

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GaNの結晶化のフラックスとしてのCa3N2

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