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J-GLOBAL ID：201002282164218234   整理番号：10A0622271

周期加熱サーモリフレクタンス法を用いた半導体デバイス内部におけるマイクロスケール熱抵抗評価技術の開発 界面熱抵抗の異なるAu-Si2層試料の測定

著者 (4件)： 秋葉洋 (慶大 院) ,  大坪慶貴 (慶応大) ,  田口良広 (慶応大 理工) ,  長坂雄次 (慶応大 理工)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 47th  ページ： ROMBUNNO.J133  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,半導体デバイスの小型化・高集積化に伴った発熱密度増加により高度な熱制御技術が不可欠であり,熱的特性の解明が必要とされている。本研究では,デバイスの微小な放熱経路であるフリップチップ接続部の熱抵抗・劣化度の評価を目的とし,周期加熱サーモリフレクタンス法を用いたマイクロスケール接合部の界面熱抵抗測定手法および装置の開発を行っている。本報ではAu-Siの2層試料を熱圧着より作製し,界面熱抵抗の異なる試料の測定を行うことで2オーダーの違いを捉え,熱抵抗の評価を行ったのでその結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： 周期的形態 ,  加熱温度 ,  計測 ,  *半導体素子 ,  微細構造 ,  *熱抵抗 ,  評価基準 ,  *キャラクタリゼーション ,  面 ,  金 ,  ケイ素 ,  多層 ,  接合 ,  試料
準シソーラス用語： サーモリフレクタンス法 ,  接触面 ,  熱圧着

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  熱伝導  (PA02020Z)

タイトルに関連する用語 (10件)： 周期 ,  サーモリフレクタンス法 ,  半導体デバイス ,  マイクロスケール ,  熱抵抗 ,  評価 ,  開発 ,  界面熱抵抗 ,  Au ,  試料