文献

J-GLOBAL ID：201002282666365427   整理番号：10A0750532

N₂支援なしで発生したO₃酸化剤を用いてSi上に成長した原子層析出HfO₂膜中の金属汚染の低下

Reduced Metal Contamination in Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Films Grown on Si Using O₃ Oxidant Generated Without N₂ Assistance

著者 (7件)： PARK Tae Joo (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  CHUNG Keum Jee (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  CHUNG Keum Jee (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Hyun-Chul (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  AHN Jinho (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  WALLACE Robert M. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  KIM Jiyoung (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 8  ページ： G65-G67  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層析出法(ALD)の酸化剤として少量の窒素を含むオゾンが水に代って用いられることが多くなった。ALD析出膜の品質に及ぼす窒素の影響を明らかにすることを目的として,窒素共存下および非共存下でHf[N(CH₃)₂]₄とO₃とからシリコン基板上にHfO₂膜を析出させ,二次イオン質量分析,X線光電子分光法および容量-電圧特性測定によって評価した。N₂が存在するとNO_x由来の硝酸が生成し,配管のステンレス鋼をエッチングし,その結果ALD膜中にCrが混入することを明らかにした。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  オゾン ,  ハフニウム錯体 ,  酸化窒素 ,  硝酸 ,  *クロム ,  *汚染物質 ,  脂肪族アミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： *ALD ,  NO_x

分類 (3件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (1件)： ジメチルアミン

タイトルに関連する用語 (10件)： N2 ,  支援 ,  O3 ,  酸化剤 ,  Si ,  成長 ,  原子層 ,  析出 ,  HfO2 ,  金属汚染