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J-GLOBAL ID：201002282685968795   整理番号：10A0048998

Si K吸収端におけるキャップGeナノドットの異常なすれすれ入射小角散乱

Anomalous Grazing Incidence Small-Angle Scattering of Capped Ge Nanodots at the Si K Absorption Edge

著者 (4件)： OKUDA Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KATO Masayuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OCHIAI Shojiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KITAJIMA Yoshinori (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 12  ページ： 126501.1-126501.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si K吸収端における異常分散効果を用いて,軟X線領域のキャップGeナノドットのすれすれ入射小角散乱(GISAXS)を解析し,硬X線を用いて得た結果と比較した。約1.8keVで得たGISAXSプロファイルは硬X線領域の通常のGISAXSで得たのと同様のナノドット構造情報を与えることが分かった。これは歪波Born近似シミュレーションで説明できた。異常分散によるコントラスト増強を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *小角X線散乱 ,  *ナノ構造 ,  X線吸収端 ,  すれすれ入射 ,  軟X線 ,  硬X線 ,  歪波Born近似 ,  異常分散 ,  コントラスト ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *X線小角散乱 ,  *ナノドット

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

引用文献 (17件)：

• RENAUD, G. Science. 2003, 300, 1416
• LEROY, F. J. Cryst. Growth. 2005, 275, e2195
• ROTH, S. V. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1935
• LEE, B.-D. Macromolecules. 2005, 38, 3395
• VARTANYANTS, I. A. Phys. Rev. B. 2005, 71, 245302

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  K吸収端 ,  キャップ ,  Ge ,  ナノドット ,  すれすれ入射 ,  小角散乱