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J-GLOBAL ID：201002282688555912   整理番号：10A1106666

金属有機蒸気相エピタキシによって異なる基板上に成長したGaNエピ層における歪効果

Strain effects in GaN epilayers grown on different substrates by metal organic vapor phase epitaxy

著者 (6件)： ZHANG L. (Dep. of Physics and Astronomy, Katholieke Universiteit, 3001 Leuven, BEL) ,  CHENG K. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  DEGROOTE S. (EpiGaN, Romeinse Straat 18, 3001 Leuven, BEL) ,  LEYS M. (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  GERMAIN M. (EpiGaN, Romeinse Straat 18, 3001 Leuven, BEL) ,  BORGHS G. (Dep. of Physics and Astronomy, Katholieke Universiteit, 3001 Leuven, BEL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 7  ページ： 073522  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実途上応力改良のために成長条件を注意して調整することによって歪を制御することが重要である。歪はデバイスの特性に顕著な影響し,外因的熱応力および調整可能な内部的成長応力によって起こる。GaNエピ層に対する歪の衝撃についてフォトルミネセンスおよび高解像度X線回折(XRD)によって調べた。GaNサンプルは金属有機蒸気相エピタキシによって,サファイア,4H-SiC,自立GaNおよびSi(111)基板上に成長した。自由および束縛励起子遷移が低温で観測され,そのエネルギーシフトをXRDから求めた歪値に対して解析した。著者らは,4Kにおける歪の関数として価電子帯の分裂およびGaNバンドギャップを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  基板 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  *残留歪 ,  *光ルミネセンス ,  X線回折 ,  サファイア ,  炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  励起子 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 束縛励起子

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸気相 ,  エピタキシ ,  成長 ,  GaN ,  エピ層 ,  歪効果