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J-GLOBAL ID：201002283288932268   整理番号：10A0822955

4H-SiC p-n接合における低周波雑音に及ぼす順方向電流ストレスの効果

Effect of forward current stress on low frequency noise in 4H-SiC p-n junctions

著者 (6件)： RUMYANTSEV S. L. (The Ioffe Physico-Technical Inst., Politekhnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS) ,  LEVINSHTEIN M. E. (The Ioffe Physico-Technical Inst., Politekhnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS) ,  SHUR M. S. (Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, CII 9017, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York ...) ,  PALMOUR J. W. (Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA) ,  AGARWAL A. K. (Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA) ,  DAS M. K. (Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, North Carolina 27703, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024508  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20及び10kVにおいて評価した,4H-SiC整流器p⁺-nダイオードにおける低周波雑音に及ぼす順方向電流ストレスの効果について報告した。20kVブロッキング電圧をもつ4H-SiCダイオードは,順方向電流ストレスに非常に敏感であった。30分間,電流密度j=13A/cm²によるストレスでさえ,順方向電圧降下における著しい増大,及び雑音スペクトルにおける変化をもたらした。ストレスは,1/f雑音のレベルを下げたが,バースト雑音の出現をもたらした。高電流密度(50A/cm²)におけるストレスは,バースト雑音の消失,及び順方向電圧降下における更なる増大をもたらした。10kVブロッキング能力をもつダイオードは,順方向電流ストレスに対しより抵抗性があった。しかしながら,j=100A/cm²における60分ストレスの結果として1/f雑音の低下を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *PN接合 ,  整流器 ,  *炭化ケイ素 ,  *低周波雑音 ,  電圧降下 ,  スペクトル ,  1/f雑音 ,  雑音
準シソーラス用語： PNダイオード ,  *電流ストレス ,  雑音スペクトル ,  バースト雑音

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  整流器  (NB08040M) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  p-n接合 ,  低周波雑音 ,  順 ,  電流ストレス