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J-GLOBAL ID：201002283444506061   整理番号：10A0472204

大面積BaPbO₃薄膜電極のための複合ターゲットからの反応性マグネトロンスパッタリング

Reactive magnetron sputtering from a composite target for large area BaPbO₃ thin film electrode

著者 (6件)： VIDYARTHI V.s. (Solid-State Electronics Lab., Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  SUCHANECK G. (Solid-State Electronics Lab., Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  GERLACH G. (Solid-State Electronics Lab., Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  LEVIN A.a. (Inst. for Structure Physics, TechnischeUniversitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  MEYER D.c. (Inst. for Structure Physics, TechnischeUniversitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  GROETZSCHEL R. (Inst. of Ion Beam Physics and Materials Res., Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 15  ページ： 4106-4112  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属Baディスク上に一様においたPbOペレットで作製した複合ターゲットからのラジオ周波数マグネトロンスパッタリングを150mmのSiウエハ上にBaPO₃電極を堆積するために利用した。被覆パーセントの異なるPbOの複合ターゲットについて反応性スパッタリングプロセスとスパッタリングパラメータの関係を分析した。その場結晶化BaPO₃薄膜作製のためのプロセス最適化法に重点を置いた。BaPbO₃膜の成長をBaO-PbO状態図及びBa_n+1Pb_nO_3n+1(n=1,2,∞)相形成の熱力学の観点から議論した。堆積膜の微細構造解析を原子間力顕微鏡及び広角X線回折(XRD)法により行った。すれすれ角XRD測定から450°Cで作製した膜中のBa₂PbO₄相の形成が明らかになった。Ba₂PbO₄相の量は基板温度の低下とともに減少した。自然酸化(001)Siウエハ上に基板温度430°Cで堆積したBaPbO₃膜の電気抵抗率は1.13mΩcmであった。SiO₂(自然酸化膜)/Siウエハ上に堆積したBaPbO₃膜は優先配向を示さなかったが,(111)Pt/SiO₂/Si基板の使用により十分に(111)配向した膜が得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  鉛化合物 ,  酸化物 ,  *膜電極 ,  マグネトロンスパッタリング ,  反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  優先配向 ,  ウエハ【IC】 ,  白金 ,  *電気抵抗率 ,  状態図 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： Siウエハ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大面積 ,  薄膜電極 ,  ターゲット ,  反応性マグネトロンスパッタリング