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J-GLOBAL ID：201002283447738923   整理番号：10A0967661

組み合わせ回路におけるランダム・テレグラフ・ノイズの影響の評価

著者 (5件)： 伊東恭佑 (京大 大学院情報学研究科) ,  松本高士 (京大 大学院情報学研究科) ,  小林和淑 (京都工繊大 大学院工芸科学研究科) ,  小野寺秀俊 (京大 大学院情報学研究科) ,  小野寺秀俊 (JST-CREST)
資料名： 情報処理学会シンポジウム論文集  (情報処理学会ワークショップ論文集)
巻： 2010  号： 7  ページ： 99-104  発行年： 2010年08月26日 
JST資料番号： Y0978B  ISSN： 1344-0640  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年のLSIの微細化に伴い,MOSFETの絶縁膜欠陥によるキャリアのトラップ・デトラップが引き起こすランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の影響が拡大している。本稿ではマルコフ過程に基づくRTNモデルを用いたシミュレーションと65nmプロセスのテスト回路の実測から,組み合わせ回路におけるRTNの影響を評価した。またRTNモデルシミュレーションから,さらなる微細化によりRTNの影響が増大することを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *組合せ回路 ,  *LSI【IC】 ,  MOSFET ,  雑音 ,  計算機シミュレーション ,  *ナノメータ加工 ,  半導体プロセス ,  テスト構造 ,  欠陥 ,  絶縁膜
準シソーラス用語： テスト回路 ,  ランダム・テレグラフ・ノイズ ,  絶縁膜欠陥

分類 (3件)： 論理回路  (NC05070B) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 組み合わせ回路 ,  テレグラフ ,  ノイズ ,  影響の評価