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J-GLOBAL ID：201002283787135549   整理番号：10A0555013

イオン注入されたGe中の置換及びクラスターB:歪の決定

Substitutional and clustered B in ion implanted Ge: Strain determination

著者 (5件)： BISOGNIN G. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica, Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA) ,  VANGELISTA S. (Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA) ,  BERTI M. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica, Universita di Padova, via Marzolo 8, I-35131 Padova, ITA) ,  IMPELLIZZERI G. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, via S. Sofia 64, I-95123 Catania, ITA) ,  GRIMALDI M. G. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, via S. Sofia 64, I-95123 Catania, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 10  ページ： 103512  発行年： 2010年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bが注入されたGe試料中の置換及びクラスターBにより誘起された格子歪が高分解能X線回折(HRXRD)により研究された。主な結果は次のように要約できる:置換(即ち電気的に活性)のBは負の歪を示し,クラスター(即ち電気的に不活性)のBは格子歪を負から正に変える,後者はSi中のクラスターBに対して知られているものより遥かに高い。特に,各B原子当たりの格子体積変化(ΔV)の置換Bによるもの(ΔV_Sub)及びクラスターBによるもの(ΔV_Cl)はそれぞれΔV_Sub=-12.4ų,ΔV_Cl=+14.8ųとなる。これらの予想外の結果は電気的に不活性な(及び活性の)Bの量を定量的に検出するためのHRXRDの能力を実証するものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ゲルマニウム ,  *置換型原子 ,  ホウ素 ,  *クラスタ ,  X線回折 ,  *格子歪

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  Ge ,  置換 ,  クラスター ,  歪