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J-GLOBAL ID：201002283790206678   整理番号：10A0548442

GaN系VCSEL: 素子内物理学と性能限界の解析

GaN-based VCSELs: Analysis of internal device physics and performance limitations

著者 (2件)： PIPREK Joachim (NUSOD Inst. LLC, DE, USA) ,  LI Simon (Crosslight Software Inc., BC, CAN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7602  ページ： 760217.1-760217.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系面発光レーザの成功の対照的に,GaN系VCSELはまだ幾つかの困難な問題に直面している。先端的シミュレーションコードを用いて,GaN系VCSELを解析した。量子井戸に対して量子閉込めStark効果を考慮してSchroedinger方程式とPoisson方程式を解いた。厚い量子井戸はビルトイン量子井戸分極場をほぼ完全に排除できることを示した。また,幾つかの性能制限効果,例えば,利得ピークオフセット,電流集中,電子漏れなどを明らかにした。最適設計を論じ,シミュレーションした。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  計算機シミュレーション ,  量子井戸 ,  Stark効果 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  最適設計 ,  *性能分析

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  VCSEL ,  物理学 ,  限界 ,  解析