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J-GLOBAL ID：201002283967264410   整理番号：10A0840742

マグネトロンスパッタリングで室温蒸着したITO膜のピエゾ抵抗応答

Piezoresistive response of ITO films deposited at room temperature by magnetron sputtering

著者 (4件)： RASIA L. A. (Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  MANSANO R. D. (Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  DAMIANI L. R. (Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, BRA) ,  VIANA C. E. (Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, BRA)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 45  号： 15  ページ： 4224-4228  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温のRFマグネトロンスパッタリングで,シリコン基板にITO膜を蒸着した。曲げ梁理論を使用して,ITO歪みゲージの電気的特性とピエゾ抵抗特性を検討した。ITO歪みゲージの電気抵抗は引っ張り応力が増加すると減少した。これは,Nタイプの材料の典型的な挙動である。-12から-22の範囲のゲージファクターと,-2.4から-8.7x10^-10m²/Nの範囲の縦方向のピエゾ抵抗係数が測定された。抵抗の温度係数は,150~240°Cの範囲で殆ど一定であった。

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *半導体薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  理論 ,  歪計 ,  *電気抵抗 ,  圧抵抗効果 ,  N型半導体 ,  温度係数
準シソーラス用語： ITO ,  TCR【温度係数】 ,  *ピエゾ抵抗 ,  抵抗温度係数 ,  梁理論 ,  *歪ゲージ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  室温 ,  蒸着 ,  ITO膜 ,  ピエゾ抵抗 ,  応答