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J-GLOBAL ID:201002284005508526   整理番号:10A1041235

α-Al2O3上への六方晶ZnOナノワイヤの触媒無し直接気相成長

Catalyst-Free Direct Vapor-Phase Growth of Hexagonal ZnO Nanowires on α-Al2O3
著者 (8件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 1209-1217  発行年: 2010年08月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体ナノワイヤの開発が,高効率量子レーザや非線形光学変換器用の材料として期待されている。ナノワイヤのサイズに加えて,その電気的,光学的,触媒的性質に対して形状が重要であることが明らかになってきた。本稿では,ZnOナノワイヤの光学的性質をフォトルミネセンス(PL)とカソードルミネセンス(CL)測定により調べた。その結果,ZnOナノワイヤは386nmの強い紫外線と弱い緑色発光をすることが分かった。X線光電子分光法(XPS)により,ZnOの化学量論組成はZnとOの1:1に近いことが分かった。本稿で論じたZnOナノ構造の製作法は,不純物を含まないため,精密紫外線センサ,発光ディスプレイや電界放出用に応用可能である。
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス材料  ,  酸化物の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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